Description
INFINEON IRF1404PBFIN: Hochleistungs-MOSFET
Mit einer Drain-Source Spannung von 40V und einem Drainstrom von 162A bietet der INFINEON IRF1404PBFIN enorme Leistung für Motorsteuerungen oder Energieversorgungen. Dank unipolarer Polarisierung und nur 4mΩ Widerstand im Leitungszustand profitierst du von maximaler Effizienz und minimierten Verlusten. Ideal für Maker, die innovative und leistungsfähige Elektronikprojekte realisieren möchten.
Merkmale im Überblick
- Unipolare Polarisierung: Sorgt für eine hohe Effizienz in verschiedenen Schaltungskonfigurationen.
- Widerstand im Leitungszustand von nur 4mΩ: Minimiert Verluste und verbessert die Gesamteffizienz.
- Gate-Ladung von 160nC: Optimiert das Schaltverhalten für schnelle Schaltvorgänge.
Technische Daten
- Drain-Source Spannung: 40V
- Drainstrom: 162A
- Verlustleistung: 200W
- Gehäuse: TO220AB
- Gate-Source Spannung: ±20V
- Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ
- Gate-Ladung: 160nC
- Montage: THT
- Polarisierung: unipolar
Lieferumfang
- 1x Transistor: N-MOSFET, unipolar, 40V, 162A, 200W, TO220AB
| Gewicht Brutto (in kg): | 0.002 |
|---|---|
| Zolltarifnummer: | 85444995 |
| Artikelnummer: | IRF1404PBF |
| Herkunftsland: | China |
| Hersteller: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Hersteller Produktnummer: | IRF1404PBF |
| Montage: | THT |
| VPE: | 1 / 50 |
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